Thanh điều khiển ngập sâu vào trong lò để hấp thụ số nơtron thừa và đảm

Câu hỏi :

Thanh điều khiển ngập sâu vào trong lò để hấp thụ số nơtron thừa và đảm bảo số nơtron giải phóng sau mỗi phân hạch là:


A. 1 notron.                                             



B. nhiều hơn 1 notron.


C. 0 notron.                                              

D. tuỳ thuộc kích thước các thanh điều khiển.

* Đáp án

A

* Hướng dẫn giải

Phương pháp giải:

- Phản ứng phân hạch dây chuyền:

+ Giả sử sau một lần phân hạch có k notron được giải phóng đến kích thích các hạt nhân khác tạo nên những phân hạch mới. Sau n lần phân hạch liên tiếp, số notron giải phóng là knkn và kích thích knkn phân hạch mới.

+ Khi k < 1 phản ứng phân hạch dây chuyền tắt nhanh.

+ Khi k = 1 phản ứng phân hạch dây chuyền tự duy trì và công suất phát ra không đổi theo thời gian.

+ Khi k > 1 phản ứng phân hạch dây chuyền tự duy trì, công suất phát ra tăng nhanh và có thể gây nên bùng nổ.

- Phản ứng phân hạch có điều khiển.

+ Phản ứng phân hạch này được thực hiện trong các lò phản ứng hạt nhân, tương ứng với trường hợp k = 1.

Giải chi tiết:

Thanh điều khiển ngập sâu vào trong lò để hấp thụ số nơtron thừa và đảm bảo số nơtron giải phóng sau mỗi phân hạch là 1 notron.

Chọn A.

Bạn có biết?

Học thuộc bài trước khi ngủ. Các nhà khoa học đã chứng minh đây là phương pháp học rất hiệu quả. Mỗi ngày trước khi ngủ, bạn hãy ôn lại bài đã học một lần sau đó, nhắm mắt lại và đọc nhẩm lại một lần. Điều đó sẽ khiến cho bộ não của bạn tiếp thu và ghi nhớ tất cả những thông tin một cách lâu nhất.

Nguồn : timviec365.vn

Tâm sự

Lớp 12 - Năm cuối ở cấp tiểu học, năm học quan trọng nhất trong đời học sinh trải qua bao năm học tập, bao nhiêu kì vọng của người thân xung quanh ta. Những nỗi lo về thi đại học và định hướng tương lai thật là nặng. Hãy tin vào bản thân là mình sẽ làm được rồi tương lai mới chờ đợi các em!

Nguồn : ADMIN :))

Liên hệ hợp tác hoặc quảng cáo: gmail

Điều khoản dịch vụ

Copyright © 2021 HOCTAPSGK